دول, فيرجينيا, ديسمبر 14, 2010 - شركة GeneSiC Semiconductor Inc., مبتكر رئيسي في رواية كربيد السيليكون (SiC) أجهزة لدرجات الحرارة المرتفعة, قوة عالية, وتطبيقات الجهد العالي, تعلن عن اختيار مشروعها بعنوان "أجهزة الصمام الثنائي الترانزستور المدمجة فائقة التوصيل المصنوعة من SiC لوحدات التحكم في المحركات عالية الطاقة التي تعمل في 500 oC "من قبل الإدارة الوطنية للملاحة الجوية والفضاء الأمريكية (ناسا) للحصول على جائزة المرحلة الأولى SBIR. يركز مشروع SBIR هذا على تطوير ترانزستور تقاطع ثنائي متآلف متكامل SiC JBS ذو الصمام الثنائي الفائق (ميدسجت) أجهزة للتشغيل في أجواء تشبه كوكب الزهرة (500 درجة حرارة السطح). سيتم استخدام أجهزة SiC MIDSJT التي تم تطويرها في هذا البرنامج لإنشاء وحدات طاقة للتحكم في المحرك من أجل التكامل المباشر مع مركبات استكشاف Venus.
“نحن سعداء بالثقة التي عبرت عنها وكالة ناسا في حلول أجهزة SiC ذات درجات الحرارة العالية. سيمكن هذا المشروع شركة GeneSiC من تطوير تقنيات إدارة الطاقة القائمة على SiC الرائدة في الصناعة من خلال أجهزتها المبتكرة وحلول التغليف.” قال د. سيدارث سوندارسان, مدير التكنولوجيا في GeneSiC. “ستسمح أجهزة SiC MIDSJT المستهدفة في هذا البرنامج بالتعامل مع الطاقة على مستوى الكيلووات بدقة رقمية في درجات حرارة تصل إلى 500 درجة مئوية. بالإضافة إلى تطبيقات الفضاء الخارجي, هذه التكنولوجيا الجديدة لديها القدرة على إحداث ثورة في أجهزة التنقيب عن النفط في الفضاء الجوي والحرارة الجوفية الحرجة التي تتطلب درجات حرارة محيطة تزيد عن 200 درجة مئوية. مجالات التطبيق هذه محدودة حاليًا بسبب الأداء الضعيف لدرجات الحرارة العالية للسيليكون المعاصر وحتى تقنيات الأجهزة القائمة على SiC مثل JFETs و MOSFETs” أضاف.
تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.
حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.
شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع.
