杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –首次提供, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化矽晶閘管，用於智能電網應用的電力電子. 這些功率設備的革命性性能優勢有望刺激公用事業規模的功率電子硬件的關鍵創新，以增加分佈式能源的可及性和開發 (的). “到現在, 多kV碳化矽 (碳化矽) 美國研究人員尚未公開使用這些功率器件來充分利用SiC功率器件的眾所周知的優勢，即在5-15kV額定值下具有2-10kHz的工作頻率。”評論了博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “ GeneSiC最近完成了許多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶閘管，面向進行可再生能源研究的多個客戶, 陸軍和海軍系統的應用. 具有這些額定值的SiC器件現在正在被更廣泛地提供。”
基於碳化矽的晶閘管可提供10倍的更高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，X的開關頻率更快，工作溫度更高. 這些設備的目標應用研究機會包括通用中壓功率轉換 (直流輸電), 並網太陽能逆變器, 風電逆變器, 脈衝功率, 武器系統, 點火控制, 和触發控制. 現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比.
博士. Singh繼續說道：“在電力轉換領域的研究人員將充分意識到SiC晶閘管的優勢之後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開。. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。” GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.
位於華盛頓附近, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.
