GeneSiC半導體公司, 上週，基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者獲得了表彰，這一榮譽得到了表彰。 2011 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2010. [R&D Magazine認可GeneSiC的超高壓SiC晶閘管，因為它能夠實現以前從未用於電力電子演示的阻塞電壓和頻率. 的額定電壓 >6.5千伏, 的通態電流額定值 80 A和工作頻率 >5 kHz遠高於先前在市場上推出的那些. GeneSiC晶閘管所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發並網逆變器, 靈活
交流輸電系統 (事實) 和高壓直流系統 (高壓直流輸電). 這將使可再生能源中的新發明和產品開發成為可能, 太陽能逆變器, 風電逆變器, 和儲能行業. 博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁評論道：“在電力轉換領域的研究人員充分意識到SiC晶閘管的優勢後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和脈衝功率能力而優化的下一代碳化矽晶閘管，以及 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。”此產品自10月推出以來 2010, GeneSiC已預訂多個客戶的訂單，以演示使用這些碳化矽晶閘管的先進功率電子硬件. GeneSiC繼續開發其碳化矽晶閘管產品系列. R&通過美國部的SBIR資金支持，開發出了用於電源轉換應用的早期版本D. 能量. 更先進, 根據與ARDEC簽訂的另一項SBIR合同，正在開發脈衝功率優化的SiC晶閘管, 美國軍隊. 利用這些技術發展, GeneSiC的內部投資和多個客戶的商業訂單, GeneSiC能夠提供這些特高壓晶閘管作為商業產品.
R舉辦的第49屆年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.
根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.
