十一月, 2011 –
SiC“超級”結晶體管提供突破性的高溫性能
電力電子技術
二月, 2012 –
碳化矽: 堅固的功率半導體化合物不容小With
博多動力系統 (PG 44)
二月, 2012 –
碳化矽晶閘管迎來智能電網革命
《化合物半導體》雜誌 (PG 33)
遊行, 2012 –
碳化矽電子: 利用高溫承諾
Bodo的Power System發表GeneSiC的社論文章 (PG 16)
六月 19, 2013 –
驅動和使用新興的SiC開關
驅動SiC開關 – 來自《化合物半導體》雜誌 (PG 41)
七月 29, 2013 –
SJT提供與IGBT驅動器兼容的操作
電力電子歐洲新聞
九月 5, 2013 –
提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC開關更低的總損耗
今日半導體
十月 28, 2014 –
GeneSiC發布改進, 較低的導通電阻1700V和1200V SiC結晶體管
化合物半導體
十月 28, 2014 –
碳化矽開關提供低傳導損耗和卓越的短路能力
IEEE PELS雜誌
三月 1, 2015 –
用碳化矽器件履行高溫操作的承諾