電力設備科學家

GeneSiC正在尋找專注於寬帶隙半導體器件的功率半導體器件科學家. 候選人將開發新穎的設備結構, 製造技術和相關的應用測試方法.

責任

• 參與建模, 設計, 製造, 帶隙半導體器件的測試. 測試工作可能涵蓋從晶圓上探測到各種設備的可靠性評估和/或故障分析.
• 參與撰寫有關政府機構研究計劃的白皮書，提案和報告.
• 提供半導體材料等領域的技術專長, 設備物理與設計, 和/或設備製造和測試. 需要這種設備的鑑定和/或可靠性方面的專業知識.
• 通過編寫書面報告並進行描述所執行分析的演示來有效地傳達結果, 開發解決方案, 和獲得的價值.
• 成為半導體技術實驗室的思想領袖，推動程序的發展和新想法的產生.
• 與文獻保持同步，並確定與GeneSiC感興趣的基於化合物半導體的功率器件相關的研究趨勢.

要求:

• 電氣工程博士學位, 最好在功率半導體器件領域或電氣工程碩士學位, 隨著 5 多年的功率半導體器件工作經驗.
• 需要對SiC和/或GaN功率器件的製造技術有深入的了解.
• 在矽方面的專業知識, SiC和/或GaN功率半導體器件建模, 具有強大的設備物理知識是關鍵條件.
• 具有半導體潔淨室的動手製造經驗者優先.
• 具有豐富的相關材料技術工作知識，包括最新技術和當前挑戰.
• 需要對晶圓上和封裝式功率器件參數測試有豐富的工作知識
• 是美國公民或美國永久居民. 在特殊情況下, 可以向能夠獲得在美國工作的合法授權的候選人提出要約.

請通過電子郵件將簡歷發送至: HR@genesicsemi.com.