九月 5, 2013 –
提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC開關更低的總損耗
今日半導體
十月 28, 2014 –
GeneSiC發布改進, 較低的導通電阻1700V和1200V SiC結晶體管
化合物半導體
十月 28, 2014 –
碳化矽開關提供低傳導損耗和卓越的短路能力
IEEE PELS雜誌
三月 1, 2015 –
用碳化矽器件履行高溫操作的承諾
威力
十一月 14, 2014 –
1200-V和1700-V SiC結晶體管的位置可挑戰SiC MOSFET和矽IGBT
電子說明符
十一月 25, 2014 – 電子說明符
Design support offered for industry’s lowest loss switches
IEEE PELS雜誌
三月 1, 2015 – IEEE PELS雜誌
用碳化矽器件履行高溫操作的承諾
複合半在線
可能 14, 2015 –
GeneSiC開始提供SiC結型晶體管二極管