نشر على

شركة GeneSiC الرائدة في صناعة MOSFETs 6.5 كيلو فولت – طليعة موجة جديدة من التطبيقات

6.5kV SiC MOSFETs

دول, فيرجينيا, اكتوبر 20, 2020 — تطلق GeneSiC وحدات MOSFET من كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت لتتصدر الصدارة في تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, الكفاءة والموثوقية في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل الجر, الطاقة النبضية والبنية التحتية للشبكات الذكية.

جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) أشباه موصلات الطاقة, تعلن اليوم عن التوافر الفوري لرقائق SiC MOSFET العارية 6.5 كيلو فولت - G2R300MT65-CAL و G2R325MS65-CAL. سيتم إطلاق وحدات SiC الكاملة التي تستخدم هذه التقنية قريبًا. من المتوقع أن تشمل التطبيقات قوة الجر, قوة نبضية, البنية التحتية للشبكة الذكية ومحولات الطاقة الأخرى ذات الجهد المتوسط.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65- كال - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (مع Integrated-Schottky) رقاقة عارية

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

يتميز ابتكار GeneSiC بأشباه الموصلات المكونة من أكسيد معدني مزدوج SiC (DMOSFET) هيكل الجهاز مع حاجز تقاطع شوتكي (JBS) مقوم مدمج في خلية وحدة SiC DMOSFET. يمكن استخدام جهاز الطاقة المتطور هذا في مجموعة متنوعة من دوائر تحويل الطاقة في الجيل التالي من أنظمة تحويل الطاقة. تشمل المزايا الهامة الأخرى أداء ثنائي الاتجاه أكثر كفاءة, تبديل درجة الحرارة المستقلة, انخفاض خسائر التبديل والتوصيل, تقليل متطلبات التبريد, موثوقية فائقة على المدى الطويل, سهولة موازاة الأجهزة وفوائد التكلفة. توفر تقنية GeneSiC أداءً فائقًا ولديها أيضًا القدرة على تقليل بصمة مواد SiC الصافية في محولات الطاقة.

“تم تصميم وتصنيع وحدات MOSFETs 6.5 كيلو فولت من GeneSiC على رقائق بحجم 6 بوصات لتحقيق مقاومة منخفضة على الحالة, اعلى جودة, ومؤشر أداء السعر المتفوق. تعد تقنية الجيل التالي من الترانزستورات الكهروضوئية (MOSFETs) بأداء مثالي, صلابة فائقة وموثوقية طويلة الأمد في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط.” قالت الدكتور. سيدارث سوندارسان, نائب الرئيس للتكنولوجيا في GeneSiC Semiconductor.

ميزات تقنية GeneSiC's 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET –

  • ارتفاع الانهيار الجليدي (معهد اليونسكو للإحصاء) وقوة ماس كهربائى
  • متفوقة Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة
  • خسائر التبديل المستقلة عن درجة الحرارة
  • سعات منخفضة وشحنة بوابة منخفضة
  • خسائر منخفضة في جميع درجات الحرارة
  • عملية مستقرة في العادة تصل إلى 175 درجة مئوية
  • +20 الخامس / -5 محرك البوابة V

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip أو الاتصال sales@genesicsemi.com

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

نشر على

تطلق GeneSiC أفضل أداء في الصناعة 1700V SiC Schottky MPS™ الثنائيات

دول, فيرجينيا, كانون الثاني 7, 2019 — تطلق GeneSiC حافظة شاملة من الجيل الثالث من الثنائيات 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة TO-247-2

أدخلت GeneSiC GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 و GB50MPS17-247; أفضل أداء للصناعة من ثنائيات SiC 1700V المتوفرة في حزمة TO-247-2 عبر الفتحات الشهيرة. هذه الثنائيات 1700V SiC تحل محل ثنائيات الاسترداد فائقة السرعة القائمة على السيليكون وغيرها من الجيل القديم 1700V SiC JBS, تمكين المهندسين من بناء دوائر تحويل بكفاءة أكبر وكثافة طاقة أعلى. من المتوقع أن تشمل التطبيقات أجهزة الشحن السريع للمركبات الكهربائية, محركات السيارات, إمدادات طاقة النقل والطاقة المتجددة.

GB50MPS17-247 عبارة عن صمام ثنائي 1700V 50A SiC مدمج-PiN-schottky, الصمام الثنائي للطاقة SiC المنفصل الأعلى تصنيفًا حاليًا في الصناعة. تتميز هذه الثنائيات التي تم إصدارها حديثًا بانخفاض جهد أمامي منخفض, صفر الانتعاش إلى الأمام, صفر الانتعاش العكسي, سعة تقاطع منخفضة ويتم تصنيفها لدرجة حرارة تشغيل قصوى تبلغ 175 درجة مئوية. توفر تقنية الصمام الثنائي SiC Schottky من الجيل الثالث من GeneSiC صلابة الانهيار الجليدي الرائد في الصناعة والتيار المفاجئ (Ifsm) المتانة, مدمجًا مع مسبك 6 بوصات عالي الجودة مؤهل للسيارات وتقنية تجميع منفصلة متطورة عالية الموثوقية.

هذه الثنائيات SiC هي بدائل مباشرة متوافقة مع دبوس لثنائيات أخرى متوفرة في حزمة TO-247-2. الاستفادة من خسائر الطاقة المنخفضة (عملية أكثر برودة) والقدرة على تبديل التردد العالي, يمكن للمصممين الآن تحقيق كفاءة تحويل أكبر وكثافة طاقة أكبر في التصميمات.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.