نشر على

تقدم وحدات الترانزستورات MOSFET G3R ™ 750V أداءً وموثوقية لا مثيل لهما

750V G3R SiC MOSFET

دول, فيرجينيا, يونيو 04, 2021 — الجيل القادم من GeneSiC 750V G3R ™ SiC MOSFETs سوف يقدم مستويات غير مسبوقة من الأداء, متانة وجودة تفوق نظيراتها. تشمل مزايا النظام انخفاضات منخفضة في الحالة عند درجات حرارة التشغيل, سرعات تحويل أسرع, زيادة كثافة الطاقة, الحد الأدنى من الرنين (انخفاض EMI) وحجم النظام المضغوط. GeneSiC's G3R ™, عرضت في حزم منفصلة منخفضة الحث الأمثل (SMD ومن خلال الفتحة), مُحسّنة للعمل بأقل فقد للطاقة في جميع ظروف التشغيل وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل إلى حد كبير مقارنة بوحدات SiC MOSFETs المعاصرة.

750V G3R SiC MOSFET

"أصبح استخدام الطاقة عالي الكفاءة أحد المنجزات المهمة في محولات الطاقة من الجيل التالي ، ولا تزال أجهزة الطاقة المصنوعة من SiC هي المكونات الرئيسية التي تقود هذه الثورة. بعد سنوات من التطوير ، عمل على تحقيق أدنى مقاومة على مستوى الدولة وقوة ماس كهربائى وأداء انهيار جليدي, نحن متحمسون لإطلاق 750V SiC MOSFETs الأفضل أداءً في الصناعة. يمكّن G3R ™ مصممي إلكترونيات الطاقة من مواجهة الكفاءة الصعبة, كثافة الطاقة وأهداف الجودة في تطبيقات مثل محولات الطاقة الشمسية, شواحن كهربائية على متن الطائرة وإمدادات طاقة للخادم / الاتصالات. جودة مضمونة, مدعومًا بالتحول السريع والتصنيع عالي الحجم المؤهل للسيارات يعزز عرض القيمة. ” قال د. رانبير سينغ, رئيس شركة GeneSiC Semiconductor.

المميزات –

  • أدنى رسوم بوابة الصناعة (سجي) ومقاومة البوابة الداخلية (RG(ذكاء))
  • أدنى مستوى RDS(على) تغير مع درجة الحرارة
  • سعة خرج منخفضة (جنحن) والسعة المتوسطة (ججي دي)
  • 100% انهيار ثلجي (UIL) تم اختباره أثناء الإنتاج
  • القدرة على تحمل ماس كهربائى الرائدة فى الصناعة
  • صمام ثنائي سريع وموثوق للجسم مع انخفاض VF ومنخفضة QRR
  • عتبة البوابة عالية ومستقرة الجهد (الخامسذ) عبر جميع ظروف درجة الحرارة والتحيز للصرف
  • تقنية تغليف متطورة لمقاومة حرارية أقل ورنين أقل
  • توحيد التصنيع لـ RDS(على), الخامسذ والجهد الانهيار (BV)
  • مجموعة منتجات شاملة وسلسلة توريد أكثر أمانًا مع تصنيع عالي الحجم مؤهل للسيارات

التطبيقات –

  • شمسي (PV) العاكسون
  • EV / شواحن HEV على متن الطائرة
  • الخادم & إمدادات الطاقة للاتصالات
  • إمدادات طاقة غير منقطعة (يو بي إس)
  • محولات DC-DC
  • مزودات طاقة الوضع المحول (SMPS)
  • تخزين الطاقة وشحن البطارية
  • التدفئة التعريفي

جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC لأشباه الموصلات موجهة لتطبيقات السيارات (AEC-q101) وقادرة على PPAP.

G3R60MT07J - 750 فولت 60 م TO-263-7 G3R&التجارة SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 فولت 60 م TO-247-4 G3R&التجارة SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 فولت 60 م TO-247-3 G3R&التجارة SiC MOSFET

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ أو الاتصال sales@genesicsemi.com

جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support

إلكترونيات Digi-Key

عنصر نيوارك فارنيل 14

صائد الفئران للإلكترونيات

إلكترونيات السهم

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

نشر على

الجيل الثالث الجديد من دوائر SiC MOSFET من GeneSiC تتميز بأفضل شخصية في الصناعة

دول, فيرجينيا, شهر فبراير 12, 2020 — الجيل القادم من GeneSiC لأشباه الموصلات 1200V G3R ™ SiC MOSFETs مع RDS(على) مستويات تتراوح من 20 متر مكعب إلى 350 مΩ تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, متانة وجودة تفوق نظيراتها. تشمل مزايا النظام كفاءة أعلى, تردد تبديل أسرع, زيادة كثافة الطاقة, رنين مخفض (EMI) وحجم النظام المضغوط.

تعلن شركة GeneSiC عن توفر الجيل الثالث من الدوائر المتكاملة الفلورية كربيد السيليكون الرائدة في الصناعة والتي تتميز بأداء رائد في الصناعة, المتانة والجودة لتسخير مستويات لم يسبق لها مثيل من الكفاءة وموثوقية النظام في تطبيقات السيارات والصناعية.

وحدات G3R ™ SiC MOSFETs هذه, عرضت في حزم منفصلة منخفضة الحث الأمثل (SMD ومن خلال الفتحة), تم تحسينها بشكل كبير لتصميمات أنظمة الطاقة التي تتطلب مستويات كفاءة مرتفعة وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل بكثير مقارنة بالمنتجات المنافسة. جودة مضمونة, مدعومًا بالتحول السريع للتصنيع عالي الحجم يعزز عرض القيمة.

بعد سنوات من التطوير ، عملنا على تحقيق أدنى مقاومة من قبل الدولة وتحسين أداء ماس كهربائى, نحن متحمسون لإصدار أفضل 1200V SiC MOSFETs أداء في الصناعة مع أكثر من 15+ منتجات الرقائق المنفصلة والعارية. إذا كانت أنظمة إلكترونيات الطاقة من الجيل التالي ستلبي الكفاءة الصعبة, كثافة الطاقة وأهداف الجودة في تطبيقات مثل السيارات, صناعي, طاقة متجددة, وسائل النقل, تكنولوجيا المعلومات والاتصالات, ثم تتطلب أداء وموثوقية محسّنة للجهاز بشكل ملحوظ مقارنةً بوحدات SiC MOSFET المتوفرة حاليًا” قال د. رانبير سينغ, رئيس شركة GeneSiC Semiconductor.

المميزات –

  • متفوقة Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة – تتميز وحدات G3R ™ SiC MOSFET بأدنى مقاومة على مستوى الصناعة مع شحنة بوابة منخفضة جدًا, مما أدى إلى 20% شخصية أفضل من أي جهاز منافس آخر مشابه
  • خسائر توصيل منخفضة في جميع درجات الحرارة – تتميز MOSFETs من GeneSiC بأخف درجات الاعتماد على درجة الحرارة لمقاومة على الحالة لتقديم خسائر توصيل منخفضة جدًا في جميع درجات الحرارة; أفضل بكثير من أي خندق ومستو MOSFETs الأخرى في السوق
  • 100 % اختبار الانهيار الجليدي – تعد قدرة UIL القوية مطلبًا بالغ الأهمية لمعظم التطبيقات الميدانية. 1200V SiC MOSFET من GeneSiC المنفصلة هي 100 % انهيار ثلجي (UIL) تم اختباره أثناء الإنتاج
  • شحنة بوابة منخفضة ومقاومة بوابة داخلية منخفضة – هذه المعلمات ضرورية لتحقيق التبديل السريع للغاية وتحقيق أعلى الكفاءات (منخفض Eon -Eoff) عبر نطاق واسع من ترددات تبديل التطبيق
  • عملية مستقرة في العادة تصل إلى 175 درجة مئوية – تم تصميم وتصنيع جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC بأحدث العمليات لتقديم منتجات مستقرة وموثوقة في جميع ظروف التشغيل دون أي مخاطر عطل. تمنع جودة أكسيد البوابة الفائقة لهذه الأجهزة أي عتبة (الخامسذ) المغزى
  • سعات جهاز منخفضة – تم تصميم G3R ™ للقيادة بشكل أسرع وأكثر كفاءة مع السعات المنخفضة للأجهزة - Ciss, كوس و Crss
  • صمام ثنائي سريع وموثوق للجسم مع شحنة ذاتية منخفضة – تتميز وحدات MOSFET من GeneSiC برسوم استرداد عكسي منخفض (سRR) في جميع درجات الحرارة; 30% أفضل من أي جهاز منافس مشابه في التصنيف. يوفر هذا مزيدًا من التخفيض في فقد الطاقة ويعزز ترددات التشغيل
  • سهولة الاستعمال – تم تصميم وحدات MOSFET G3R ™ SiC بحيث يتم تشغيلها بجهد +15 فولت / -5محرك البوابة V. يوفر هذا أوسع توافق مع برامج تشغيل بوابة IGBT و SiC MOSFET التجارية الحالية

التطبيقات –

  • مركبة كهربائية – مجموعة نقل الحركة والشحن
  • العاكس الشمسي وتخزين الطاقة
  • محرك المحرك الصناعي
  • مزود الطاقة غير المنقطع (يو بي إس)
  • تبديل الوضع امدادات الطاقة (SMPS)
  • محولات DC-DC ثنائية الاتجاه
  • الشبكة الذكية و HVDC
  • التسخين التعريفي واللحام
  • تطبيق الطاقة النبضية

جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support

إلكترونيات Digi-Key

عنصر نيوارك فارنيل 14

صائد الفئران للإلكترونيات

إلكترونيات السهم

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet أو الاتصال sales@genesicsemi.com

جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC لأشباه الموصلات موجهة لتطبيقات السيارات (AEC-q101) وقادرة على PPAP. يتم تقديم جميع الأجهزة بمعيار الصناعة D2PAK, حزم TO-247 و SOT-227.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

نشر على

تعمل وحدات GeneSiC's 3300V و 1700V 1000mΩ SiC MOSFET على إحداث ثورة في تصغير إمدادات الطاقة الإضافية

دول, فيرجينيا, ديسمبر 4, 2020 — تعلن شركة GeneSiC عن توفر وحدات MOSFET منفصلة بقدرة 3300 فولت و 1700 فولت من SiC والتي تم تحسينها لتحقيق تصغير لا مثيل له, الموثوقية وتوفير الطاقة في طاقة التدبير المنزلي الصناعية.

جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة شاملة من كربيد السيليكون (SiC) أشباه موصلات الطاقة, تعلن اليوم عن التوفر الفوري للجيل القادم من وحدات MOSFET بجهد 3300 فولت و 1700 فولت و 1000 متر مكعب من SiC - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, و G2R1000MT33J. تتيح وحدات SiC MOSFET مستويات أداء فائقة, بناءً على أرقام الاستحقاق الرئيسية (رغوة) التي تعزز وتبسط أنظمة الطاقة عبر تخزين الطاقة, طاقة متجددة, محركات صناعية, محولات للأغراض العامة والإضاءة الصناعية. المنتجات الصادرة هي:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC الجديدة 3300V و 1700V SiC MOSFETs, متوفر بخيارات 1000mΩ و 450mΩ كحزم منفصلة SMD و Through-Hole, تم تحسينها بشكل كبير لتصميمات أنظمة الطاقة التي تتطلب مستويات كفاءة مرتفعة وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل بكثير مقارنة بالمنتجات المنافسة. جودة مضمونة, مدعومة بتصنيع عالي الحجم سريع الدوران يعزز عرض القيمة.

"في تطبيقات مثل محولات الطاقة الشمسية 1500 فولت, قد يتعين على MOSFET في مصدر الطاقة الإضافي أن يتحمل الفولتية في نطاق 2500 فولت, حسب جهد الدخل, نسبة دوران المحول والجهد الناتج. تعمل وحدات MOSFET ذات الجهد الكهربائي العالي على تجنب الحاجة إلى المفاتيح المتصلة بالسلسلة في Flyback, محولات التعزيز والأمام وبالتالي تقليل عدد الأجزاء وتقليل تعقيد الدائرة. تسمح وحدات SiC MOSFET المنفصلة لـ GeneSiC بقوة 3300 فولت و 1700 فولت للمصممين باستخدام طوبولوجيا مبسطة تعتمد على مفتاح واحد وفي نفس الوقت تزود العملاء بموثوقية, نظام مدمج وفعال من حيث التكلفة” قال سوميت جداف, مدير تطبيقات أول في GeneSiC Semiconductor.

المميزات –

  • مؤشر أداء السعر المتفوق
  • الرائد Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة
  • السعة الذاتية المنخفضة وشحنة البوابة المنخفضة
  • خسائر منخفضة في جميع درجات الحرارة
  • ارتفاع الانهيار الجليدي وقوة ماس كهربائى
  • عتبة الجهد المعياري للتشغيل المستقر المعتاد حتى 175 درجة مئوية

التطبيقات –

  • طاقة متجددة (محولات الطاقة الشمسية) وتخزين الطاقة
  • المحركات الصناعية (والسندات)
  • محولات للأغراض العامة
  • الإضاءة الصناعية
  • السائقين بيزو
  • مولدات الشعاع الأيوني

جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet أو الاتصال sales@genesicsemi.com

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

نشر على

شركة GeneSiC الرائدة في صناعة MOSFETs 6.5 كيلو فولت – طليعة موجة جديدة من التطبيقات

6.5kV SiC MOSFETs

دول, فيرجينيا, اكتوبر 20, 2020 — تطلق GeneSiC وحدات MOSFET من كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت لتتصدر الصدارة في تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, الكفاءة والموثوقية في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل الجر, الطاقة النبضية والبنية التحتية للشبكات الذكية.

جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) أشباه موصلات الطاقة, تعلن اليوم عن التوافر الفوري لرقائق SiC MOSFET العارية 6.5 كيلو فولت - G2R300MT65-CAL و G2R325MS65-CAL. سيتم إطلاق وحدات SiC الكاملة التي تستخدم هذه التقنية قريبًا. من المتوقع أن تشمل التطبيقات قوة الجر, قوة نبضية, البنية التحتية للشبكة الذكية ومحولات الطاقة الأخرى ذات الجهد المتوسط.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65- كال - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (مع Integrated-Schottky) رقاقة عارية

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

يتميز ابتكار GeneSiC بأشباه الموصلات المكونة من أكسيد معدني مزدوج SiC (DMOSFET) هيكل الجهاز مع حاجز تقاطع شوتكي (JBS) مقوم مدمج في خلية وحدة SiC DMOSFET. يمكن استخدام جهاز الطاقة المتطور هذا في مجموعة متنوعة من دوائر تحويل الطاقة في الجيل التالي من أنظمة تحويل الطاقة. تشمل المزايا الهامة الأخرى أداء ثنائي الاتجاه أكثر كفاءة, تبديل درجة الحرارة المستقلة, انخفاض خسائر التبديل والتوصيل, تقليل متطلبات التبريد, موثوقية فائقة على المدى الطويل, سهولة موازاة الأجهزة وفوائد التكلفة. توفر تقنية GeneSiC أداءً فائقًا ولديها أيضًا القدرة على تقليل بصمة مواد SiC الصافية في محولات الطاقة.

“تم تصميم وتصنيع وحدات MOSFETs 6.5 كيلو فولت من GeneSiC على رقائق بحجم 6 بوصات لتحقيق مقاومة منخفضة على الحالة, اعلى جودة, ومؤشر أداء السعر المتفوق. تعد تقنية الجيل التالي من الترانزستورات الكهروضوئية (MOSFETs) بأداء مثالي, صلابة فائقة وموثوقية طويلة الأمد في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط.” قالت الدكتور. سيدارث سوندارسان, نائب الرئيس للتكنولوجيا في GeneSiC Semiconductor.

ميزات تقنية GeneSiC's 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET –

  • ارتفاع الانهيار الجليدي (معهد اليونسكو للإحصاء) وقوة ماس كهربائى
  • متفوقة Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة
  • خسائر التبديل المستقلة عن درجة الحرارة
  • سعات منخفضة وشحنة بوابة منخفضة
  • خسائر منخفضة في جميع درجات الحرارة
  • عملية مستقرة في العادة تصل إلى 175 درجة مئوية
  • +20 الخامس / -5 محرك البوابة V

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip أو الاتصال sales@genesicsemi.com

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

نشر على

GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لمحول مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC

دول, فيرجينيا, ديسمبر 5, 2019 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2019 ص&د 100 جائزة لتطوير تبديل مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC.

شركة GeneSiC Semiconductor, تم تكريم أحد المبتكرين الرئيسيين في أجهزة الطاقة القائمة على كربيد السيليكون بالإعلان عن حصوله على جائزة المرموقة 2019 ص&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2018. ص&اعترفت مجلة D Magazine بتكنولوجيا جهاز طاقة SiC للجهد المتوسط ​​من GeneSiC لقدرتها على دمج MOSFET و Schottky بشكل موحد على شريحة واحدة. تمكن هذه القدرات التي حققها جهاز GeneSiC بشكل حاسم الباحثين في مجال إلكترونيات الطاقة من تطوير أنظمة إلكترونية للطاقة من الجيل التالي مثل المحولات ومحولات DC-DC. سيسمح هذا بتطوير المنتجات داخل المركبات الكهربائية, البنية التحتية للشحن, الطاقة المتجددة وصناعات تخزين الطاقة. حجزت GeneSiC طلبات من العديد من العملاء من أجل عرض أجهزة إلكترونية للطاقة المتقدمة باستخدام هذه الأجهزة وتواصل تطوير عائلة منتجات السيليكون كربيد MOSFET. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&تم تطوير D على الإصدار المبكر لتطبيقات تحويل الطاقة من خلال وزارة الخارجية الأمريكية. للطاقة وبالتعاون مع مختبرات سانديا الوطنية.

مسابقة التكنولوجيا السنوية التي تديرها شركة R&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. تعترف هذه الجائزة بشركة GeneSiC كشركة عالمية رائدة في إنشاء المنتجات القائمة على التكنولوجيا والتي تحدث فرقًا في طريقة عملنا وحياتنا.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.