دول, فيرجينيا, اكتوبر 20, 2020 — تطلق GeneSiC وحدات MOSFET من كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت لتتصدر الصدارة في تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, الكفاءة والموثوقية في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط مثل الجر, الطاقة النبضية والبنية التحتية للشبكات الذكية.
جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) أشباه موصلات الطاقة, تعلن اليوم عن التوافر الفوري لرقائق SiC MOSFET العارية 6.5 كيلو فولت - G2R300MT65-CAL و G2R325MS65-CAL. سيتم إطلاق وحدات SiC الكاملة التي تستخدم هذه التقنية قريبًا. من المتوقع أن تشمل التطبيقات قوة الجر, قوة نبضية, البنية التحتية للشبكة الذكية ومحولات الطاقة الأخرى ذات الجهد المتوسط.
G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip
G2R325MS65- كال - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (مع Integrated-Schottky) رقاقة عارية
G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip
يتميز ابتكار GeneSiC بأشباه الموصلات المكونة من أكسيد معدني مزدوج SiC (DMOSFET) هيكل الجهاز مع حاجز تقاطع شوتكي (JBS) مقوم مدمج في خلية وحدة SiC DMOSFET. يمكن استخدام جهاز الطاقة المتطور هذا في مجموعة متنوعة من دوائر تحويل الطاقة في الجيل التالي من أنظمة تحويل الطاقة. تشمل المزايا الهامة الأخرى أداء ثنائي الاتجاه أكثر كفاءة, تبديل درجة الحرارة المستقلة, انخفاض خسائر التبديل والتوصيل, تقليل متطلبات التبريد, موثوقية فائقة على المدى الطويل, سهولة موازاة الأجهزة وفوائد التكلفة. توفر تقنية GeneSiC أداءً فائقًا ولديها أيضًا القدرة على تقليل بصمة مواد SiC الصافية في محولات الطاقة.
“تم تصميم وتصنيع وحدات MOSFETs 6.5 كيلو فولت من GeneSiC على رقائق بحجم 6 بوصات لتحقيق مقاومة منخفضة على الحالة, اعلى جودة, ومؤشر أداء السعر المتفوق. تعد تقنية الجيل التالي من الترانزستورات الكهروضوئية (MOSFETs) بأداء مثالي, صلابة فائقة وموثوقية طويلة الأمد في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط.” قالت الدكتور. سيدارث سوندارسان, نائب الرئيس للتكنولوجيا في GeneSiC Semiconductor.
ميزات تقنية GeneSiC's 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET –
- ارتفاع الانهيار الجليدي (معهد اليونسكو للإحصاء) وقوة ماس كهربائى
- متفوقة Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة
- خسائر التبديل المستقلة عن درجة الحرارة
- سعات منخفضة وشحنة بوابة منخفضة
- خسائر منخفضة في جميع درجات الحرارة
- عملية مستقرة في العادة تصل إلى 175 درجة مئوية
- +20 الخامس / -5 محرك البوابة V
لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip أو الاتصال sales@genesicsemi.com
حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.
GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.
