نشر على

تقدم وحدات الترانزستورات MOSFET G3R ™ 750V أداءً وموثوقية لا مثيل لهما

750V G3R SiC MOSFET

دول, فيرجينيا, يونيو 04, 2021 — الجيل القادم من GeneSiC 750V G3R ™ SiC MOSFETs سوف يقدم مستويات غير مسبوقة من الأداء, متانة وجودة تفوق نظيراتها. تشمل مزايا النظام انخفاضات منخفضة في الحالة عند درجات حرارة التشغيل, سرعات تحويل أسرع, زيادة كثافة الطاقة, الحد الأدنى من الرنين (انخفاض EMI) وحجم النظام المضغوط. GeneSiC's G3R ™, عرضت في حزم منفصلة منخفضة الحث الأمثل (SMD ومن خلال الفتحة), مُحسّنة للعمل بأقل فقد للطاقة في جميع ظروف التشغيل وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل إلى حد كبير مقارنة بوحدات SiC MOSFETs المعاصرة.

750V G3R SiC MOSFET

"أصبح استخدام الطاقة عالي الكفاءة أحد المنجزات المهمة في محولات الطاقة من الجيل التالي ، ولا تزال أجهزة الطاقة المصنوعة من SiC هي المكونات الرئيسية التي تقود هذه الثورة. بعد سنوات من التطوير ، عمل على تحقيق أدنى مقاومة على مستوى الدولة وقوة ماس كهربائى وأداء انهيار جليدي, نحن متحمسون لإطلاق 750V SiC MOSFETs الأفضل أداءً في الصناعة. يمكّن G3R ™ مصممي إلكترونيات الطاقة من مواجهة الكفاءة الصعبة, كثافة الطاقة وأهداف الجودة في تطبيقات مثل محولات الطاقة الشمسية, شواحن كهربائية على متن الطائرة وإمدادات طاقة للخادم / الاتصالات. جودة مضمونة, مدعومًا بالتحول السريع والتصنيع عالي الحجم المؤهل للسيارات يعزز عرض القيمة. ” قال د. رانبير سينغ, رئيس شركة GeneSiC Semiconductor.

المميزات –

  • أدنى رسوم بوابة الصناعة (سجي) ومقاومة البوابة الداخلية (RG(ذكاء))
  • أدنى مستوى RDS(على) تغير مع درجة الحرارة
  • سعة خرج منخفضة (جنحن) والسعة المتوسطة (ججي دي)
  • 100% انهيار ثلجي (UIL) تم اختباره أثناء الإنتاج
  • القدرة على تحمل ماس كهربائى الرائدة فى الصناعة
  • صمام ثنائي سريع وموثوق للجسم مع انخفاض VF ومنخفضة QRR
  • عتبة البوابة عالية ومستقرة الجهد (الخامسذ) عبر جميع ظروف درجة الحرارة والتحيز للصرف
  • تقنية تغليف متطورة لمقاومة حرارية أقل ورنين أقل
  • توحيد التصنيع لـ RDS(على), الخامسذ والجهد الانهيار (BV)
  • مجموعة منتجات شاملة وسلسلة توريد أكثر أمانًا مع تصنيع عالي الحجم مؤهل للسيارات

التطبيقات –

  • شمسي (PV) العاكسون
  • EV / شواحن HEV على متن الطائرة
  • الخادم & إمدادات الطاقة للاتصالات
  • إمدادات طاقة غير منقطعة (يو بي إس)
  • محولات DC-DC
  • مزودات طاقة الوضع المحول (SMPS)
  • تخزين الطاقة وشحن البطارية
  • التدفئة التعريفي

جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC لأشباه الموصلات موجهة لتطبيقات السيارات (AEC-q101) وقادرة على PPAP.

G3R60MT07J - 750 فولت 60 م TO-263-7 G3R&التجارة SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 فولت 60 م TO-247-4 G3R&التجارة SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 فولت 60 م TO-247-3 G3R&التجارة SiC MOSFET

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ أو الاتصال sales@genesicsemi.com

جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support

إلكترونيات Digi-Key

عنصر نيوارك فارنيل 14

صائد الفئران للإلكترونيات

إلكترونيات السهم

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

نشر على

GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لمحول مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC

دول, فيرجينيا, ديسمبر 5, 2019 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2019 ص&د 100 جائزة لتطوير تبديل مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC.

شركة GeneSiC Semiconductor, تم تكريم أحد المبتكرين الرئيسيين في أجهزة الطاقة القائمة على كربيد السيليكون بالإعلان عن حصوله على جائزة المرموقة 2019 ص&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2018. ص&اعترفت مجلة D Magazine بتكنولوجيا جهاز طاقة SiC للجهد المتوسط ​​من GeneSiC لقدرتها على دمج MOSFET و Schottky بشكل موحد على شريحة واحدة. تمكن هذه القدرات التي حققها جهاز GeneSiC بشكل حاسم الباحثين في مجال إلكترونيات الطاقة من تطوير أنظمة إلكترونية للطاقة من الجيل التالي مثل المحولات ومحولات DC-DC. سيسمح هذا بتطوير المنتجات داخل المركبات الكهربائية, البنية التحتية للشحن, الطاقة المتجددة وصناعات تخزين الطاقة. حجزت GeneSiC طلبات من العديد من العملاء من أجل عرض أجهزة إلكترونية للطاقة المتقدمة باستخدام هذه الأجهزة وتواصل تطوير عائلة منتجات السيليكون كربيد MOSFET. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&تم تطوير D على الإصدار المبكر لتطبيقات تحويل الطاقة من خلال وزارة الخارجية الأمريكية. للطاقة وبالتعاون مع مختبرات سانديا الوطنية.

مسابقة التكنولوجيا السنوية التي تديرها شركة R&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. تعترف هذه الجائزة بشركة GeneSiC كشركة عالمية رائدة في إنشاء المنتجات القائمة على التكنولوجيا والتي تحدث فرقًا في طريقة عملنا وحياتنا.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

نشر على

GeneSiC تفوز بـ 2.53 مليون دولار من ARPA-E لتطوير الأجهزة القائمة على كربيد السيليكون الثايرستور

دول, فيرجينيا, سبتمبر 28, 2010 - وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) أبرمت اتفاقية تعاونية مع فريق GeneSiC الذي يقوده أشباه الموصلات من أجل تطوير كربيد السيليكون الجديد عالي الجهد (SiC) الأجهزة القائمة على الثايرستور. من المتوقع أن تكون هذه الأجهزة عوامل تمكين رئيسية لدمج محطات طاقة الرياح والطاقة الشمسية على نطاق واسع في الجيل التالي من الشبكة الذكية.

"ستسمح لنا هذه الجائزة التنافسية للغاية لشركة GeneSiC بتوسيع مركزنا الريادي التقني في تقنية كربيد السيليكون متعدد كيلوفولت, بالإضافة إلى التزامنا بحلول الطاقة البديلة على نطاق الشبكة مع حلول الحالة الصلبة,”علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "Multi-kV SiC Thyristors التي نعمل على تطويرها هي تقنية التمكين الرئيسية لتحقيق أنظمة نقل التيار المتردد المرنة (حقائق) العناصر والجهد العالي DC (HVDC) المعماريات المتوخاة نحو متكامل, فعال, الشبكة الذكية للمستقبل. توفر الثايرستور المستندة إلى SiC من GeneSiC جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل درجة حرارة أعلى في حلول معالجة الطاقة FACTS و HVDC مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. "

في أبريل 2010, استجابت GeneSiC للتسليم السريع لتكنولوجيا الطاقة الكهربائية (ADEPT) التماس من ARPA-E الذي سعى إلى الاستثمار في المواد من أجل التقدم الأساسي في مفاتيح الجهد العالي التي لديها القدرة على تجاوز أداء محول الطاقة الحالي مع تقديم تخفيضات في التكلفة. تم اختيار اقتراح الشركة بعنوان "الثايرستور بتبديل أنود كربيد السيليكون لتحويل طاقة الجهد المتوسط" لتوفير وزن خفيف, الحالة الصلبة, تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​لتطبيقات الطاقة العالية مثل المحطات الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية. الابتكارات التي تم اختيارها كانت لدعم وتعزيز الولايات المتحدة. الأعمال من خلال الريادة التكنولوجية, من خلال عملية تنافسية للغاية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات تتمتع بخصائص متفوقة إلى حد كبير على السيليكون التقليدي, مثل القدرة على التعامل مع الجهد بعشرة أضعاف - ومائة ضعف التيار - في درجات حرارة تصل إلى 300 درجة مئوية. هذه الخصائص تجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل السيارات الهجينة والكهربائية, طاقة متجددة (الرياح والطاقة الشمسية) المنشآت, وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعادلات التسلسلية. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. تشمل التطبيقات والمزايا الواعدة الأخرى لهذه الأجهزة:

  • مطلوب أنظمة إدارة الطاقة وتكييف الطاقة لتحويل DC ذات الجهد المتوسط ​​تحت القدرة البحرية المستقبلية (FNC) البحرية الأمريكية, أنظمة الإطلاق الكهرومغناطيسية, أنظمة الأسلحة عالية الطاقة والتصوير الطبي. تسمح قدرة تردد التشغيل الأعلى 10-100X بتحسينات غير مسبوقة في الحجم, وزن, الحجم وفي النهاية, تكلفة هذه الأنظمة.
  • مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تحظى تطبيقات تخزين الطاقة وشبكات الطاقة باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

“لقد برزنا كشركة رائدة في تقنية SiC عالية الجهد من خلال الاستفادة من كفاءتنا الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات من خلال مجموعة واسعة من التصنيع, التوصيف, ومرافق الاختبار,"يختتم د. سينغ. "لقد تم الآن التحقق من صحة موقف GeneSiC بشكل فعال من قبل وزارة الطاقة الأمريكية من خلال جائزة المتابعة الهامة هذه."

حول GeneSiC أشباه الموصلات

موقع استراتيجي بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارةwww.genesicsemi.com.