تعمل وحدات GeneSiC's 3300V و 1700V 1000mΩ SiC MOSFET على إحداث ثورة في تصغير إمدادات الطاقة الإضافية

دول, فيرجينيا, ديسمبر 4, 2020 — تعلن شركة GeneSiC عن توفر وحدات MOSFET منفصلة بقدرة 3300 فولت و 1700 فولت من SiC والتي تم تحسينها لتحقيق تصغير لا مثيل له, الموثوقية وتوفير الطاقة في طاقة التدبير المنزلي الصناعية.

جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة شاملة من كربيد السيليكون (SiC) أشباه موصلات الطاقة, تعلن اليوم عن التوفر الفوري للجيل القادم من وحدات MOSFET بجهد 3300 فولت و 1700 فولت و 1000 متر مكعب من SiC - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, و G2R1000MT33J. تتيح وحدات SiC MOSFET مستويات أداء فائقة, بناءً على أرقام الاستحقاق الرئيسية (رغوة) التي تعزز وتبسط أنظمة الطاقة عبر تخزين الطاقة, طاقة متجددة, محركات صناعية, محولات للأغراض العامة والإضاءة الصناعية. المنتجات الصادرة هي:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC الجديدة 3300V و 1700V SiC MOSFETs, متوفر بخيارات 1000mΩ و 450mΩ كحزم منفصلة SMD و Through-Hole, تم تحسينها بشكل كبير لتصميمات أنظمة الطاقة التي تتطلب مستويات كفاءة مرتفعة وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل بكثير مقارنة بالمنتجات المنافسة. جودة مضمونة, مدعومة بتصنيع عالي الحجم سريع الدوران يعزز عرض القيمة.

"في تطبيقات مثل محولات الطاقة الشمسية 1500 فولت, قد يتعين على MOSFET في مصدر الطاقة الإضافي أن يتحمل الفولتية في نطاق 2500 فولت, حسب جهد الدخل, نسبة دوران المحول والجهد الناتج. تعمل وحدات MOSFET ذات الجهد الكهربائي العالي على تجنب الحاجة إلى المفاتيح المتصلة بالسلسلة في Flyback, محولات التعزيز والأمام وبالتالي تقليل عدد الأجزاء وتقليل تعقيد الدائرة. تسمح وحدات SiC MOSFET المنفصلة لـ GeneSiC بقوة 3300 فولت و 1700 فولت للمصممين باستخدام طوبولوجيا مبسطة تعتمد على مفتاح واحد وفي نفس الوقت تزود العملاء بموثوقية, نظام مدمج وفعال من حيث التكلفة” قال سوميت جداف, مدير تطبيقات أول في GeneSiC Semiconductor.

المميزات –

  • مؤشر أداء السعر المتفوق
  • الرائد Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة
  • السعة الذاتية المنخفضة وشحنة البوابة المنخفضة
  • خسائر منخفضة في جميع درجات الحرارة
  • ارتفاع الانهيار الجليدي وقوة ماس كهربائى
  • عتبة الجهد المعياري للتشغيل المستقر المعتاد حتى 175 درجة مئوية

التطبيقات –

  • طاقة متجددة (محولات الطاقة الشمسية) وتخزين الطاقة
  • المحركات الصناعية (والسندات)
  • محولات للأغراض العامة
  • الإضاءة الصناعية
  • السائقين بيزو
  • مولدات الشعاع الأيوني

جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet أو الاتصال sales@genesicsemi.com

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.