دول, فيرجينيا, شهر فبراير 12, 2020 — الجيل القادم من GeneSiC لأشباه الموصلات 1200V G3R ™ SiC MOSFETs مع RDS(على) مستويات تتراوح من 20 متر مكعب إلى 350 مΩ تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, متانة وجودة تفوق نظيراتها. تشمل مزايا النظام كفاءة أعلى, تردد تبديل أسرع, زيادة كثافة الطاقة, رنين مخفض (EMI) وحجم النظام المضغوط.
تعلن شركة GeneSiC عن توفر الجيل الثالث من الدوائر المتكاملة الفلورية كربيد السيليكون الرائدة في الصناعة والتي تتميز بأداء رائد في الصناعة, المتانة والجودة لتسخير مستويات لم يسبق لها مثيل من الكفاءة وموثوقية النظام في تطبيقات السيارات والصناعية.
وحدات G3R ™ SiC MOSFETs هذه, عرضت في حزم منفصلة منخفضة الحث الأمثل (SMD ومن خلال الفتحة), تم تحسينها بشكل كبير لتصميمات أنظمة الطاقة التي تتطلب مستويات كفاءة مرتفعة وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل بكثير مقارنة بالمنتجات المنافسة. جودة مضمونة, مدعومًا بالتحول السريع للتصنيع عالي الحجم يعزز عرض القيمة.
بعد سنوات من التطوير ، عملنا على تحقيق أدنى مقاومة من قبل الدولة وتحسين أداء ماس كهربائى, نحن متحمسون لإصدار أفضل 1200V SiC MOSFETs أداء في الصناعة مع أكثر من 15+ منتجات الرقائق المنفصلة والعارية. إذا كانت أنظمة إلكترونيات الطاقة من الجيل التالي ستلبي الكفاءة الصعبة, كثافة الطاقة وأهداف الجودة في تطبيقات مثل السيارات, صناعي, طاقة متجددة, وسائل النقل, تكنولوجيا المعلومات والاتصالات, ثم تتطلب أداء وموثوقية محسّنة للجهاز بشكل ملحوظ مقارنةً بوحدات SiC MOSFET المتوفرة حاليًا” قال د. رانبير سينغ, رئيس شركة GeneSiC Semiconductor.
المميزات –
- متفوقة Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة – تتميز وحدات G3R ™ SiC MOSFET بأدنى مقاومة على مستوى الصناعة مع شحنة بوابة منخفضة جدًا, مما أدى إلى 20% شخصية أفضل من أي جهاز منافس آخر مشابه
- خسائر توصيل منخفضة في جميع درجات الحرارة – تتميز MOSFETs من GeneSiC بأخف درجات الاعتماد على درجة الحرارة لمقاومة على الحالة لتقديم خسائر توصيل منخفضة جدًا في جميع درجات الحرارة; أفضل بكثير من أي خندق ومستو MOSFETs الأخرى في السوق
- 100 % اختبار الانهيار الجليدي – تعد قدرة UIL القوية مطلبًا بالغ الأهمية لمعظم التطبيقات الميدانية. 1200V SiC MOSFET من GeneSiC المنفصلة هي 100 % انهيار ثلجي (UIL) تم اختباره أثناء الإنتاج
- شحنة بوابة منخفضة ومقاومة بوابة داخلية منخفضة – هذه المعلمات ضرورية لتحقيق التبديل السريع للغاية وتحقيق أعلى الكفاءات (منخفض Eon -Eoff) عبر نطاق واسع من ترددات تبديل التطبيق
- عملية مستقرة في العادة تصل إلى 175 درجة مئوية – تم تصميم وتصنيع جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC بأحدث العمليات لتقديم منتجات مستقرة وموثوقة في جميع ظروف التشغيل دون أي مخاطر عطل. تمنع جودة أكسيد البوابة الفائقة لهذه الأجهزة أي عتبة (الخامسذ) المغزى
- سعات جهاز منخفضة – تم تصميم G3R ™ للقيادة بشكل أسرع وأكثر كفاءة مع السعات المنخفضة للأجهزة - Ciss, كوس و Crss
- صمام ثنائي سريع وموثوق للجسم مع شحنة ذاتية منخفضة – تتميز وحدات MOSFET من GeneSiC برسوم استرداد عكسي منخفض (سRR) في جميع درجات الحرارة; 30% أفضل من أي جهاز منافس مشابه في التصنيف. يوفر هذا مزيدًا من التخفيض في فقد الطاقة ويعزز ترددات التشغيل
- سهولة الاستعمال – تم تصميم وحدات MOSFET G3R ™ SiC بحيث يتم تشغيلها بجهد +15 فولت / -5محرك البوابة V. يوفر هذا أوسع توافق مع برامج تشغيل بوابة IGBT و SiC MOSFET التجارية الحالية
التطبيقات –
- مركبة كهربائية – مجموعة نقل الحركة والشحن
- العاكس الشمسي وتخزين الطاقة
- محرك المحرك الصناعي
- مزود الطاقة غير المنقطع (يو بي إس)
- تبديل الوضع امدادات الطاقة (SMPS)
- محولات DC-DC ثنائية الاتجاه
- الشبكة الذكية و HVDC
- التسخين التعريفي واللحام
- تطبيق الطاقة النبضية
جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support
لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet أو الاتصال sales@genesicsemi.com
جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC لأشباه الموصلات موجهة لتطبيقات السيارات (AEC-q101) وقادرة على PPAP. يتم تقديم جميع الأجهزة بمعيار الصناعة D2PAK, حزم TO-247 و SOT-227.
حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.
GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.
