ترانزستورات تقاطع SiC سريعة النضج تتميز بمكاسب التيار (ب) > 130, منع الفولتية تصل إلى 2700 V وعملية مستقرة على المدى الطويل
AN-10A قيادة ترانزستورات مفرق كربيد (SJT) مع برامج تشغيل بوابة السيليكون IGBT خارج الرف: مفهوم القيادة أحادي المستوى
1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة