فئة: SJT Technical

سبتمبر, 2011
1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة

نوفمبر, 2011
1200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة

فبراير, 2012
استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC

أبريل, 2012
كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج

مايو, 2012
استقرار الخصائص الكهربائية لترانزستورات التقاطع "الفائقة" المصنوعة من SiC في ظل التشغيل طويل الأمد للتيار المستمر والنبض في درجات حرارة مختلفة

مايو, 2012
SiC "سوبر" تقاطع الترانزستورات فائقة السرعة (< 15 نانوثانية) تحويل القدرة

أكتوبر, 2012
توصيف استقرار الكسب الحالي وتشغيل وضع الانهيار الجليدي لـ 4H-SiC BJTs

مايو, 2013
10 kV SiC BJTs - ثابت, خصائص التبديل والموثوقية

أكتوبر, 2013
ترانزستورات تقاطع SiC سريعة النضج تتميز بمكاسب التيار (ب) > 130, منع الفولتية تصل إلى 2700 V وعملية مستقرة على المدى الطويل

أبريل, 2014
Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation