SiC "سوبر" تقاطع الترانزستورات فائقة السرعة (< 15 نانوثانية) تحويل القدرة
توصيف استقرار الكسب الحالي وتشغيل وضع الانهيار الجليدي لـ 4H-SiC BJTs
10 kV SiC BJTs - ثابت, خصائص التبديل والموثوقية
ترانزستورات تقاطع SiC سريعة النضج تتميز بمكاسب التيار (ب) > 130, منع الفولتية تصل إلى 2700 V وعملية مستقرة على المدى الطويل
Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
الخصائص الثابتة والتبديل 1200 ترانزستورات تقاطع SiC V مع مقومات شوتكي المتكاملة على الرقاقة
AN-10A قيادة ترانزستورات مفرق كربيد (SJT) مع برامج تشغيل بوابة السيليكون IGBT خارج الرف: Single-Level Drive Concep
AN-10B لتعليم قيادة السيارات تقاطع SiC الترانزستورات (SJT): مفهوم البوابة ذات المستويين
لوحة تبديل النبض المزدوج
لوحة تبديل النبض المزدوج
لوحة تبديل النبض المزدوج
لوحة تبديل النبض المزدوج